SIZ328DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIZ328DT-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.94 |
10+ | $0.832 |
100+ | $0.6376 |
500+ | $0.504 |
1000+ | $0.4032 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-Power33 (3x3) |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V |
Leistung - max | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SIZ328 |
SIZ328DT-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIZ328DT-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY QFN
VISHAY QFN
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
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VISHAY DFN33A-8-EP
MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIZ328DT-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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